シリコンドリフト検出器(SDD)や電荷結合素子(pnCDD)等「PNDetector 社製品」

■こちらは、2020年3月26日に投稿された記事のため、情報の内容が古い可能性があります。

ユニポスWEBサイトに、シリコンドリフト検出器(SDD)や電荷結合素子(pnCDD)等、PNDetector 社製品 のページを追加しました。

PNDetector 社(ドイツ)は、微量分析、品質保証、材料科学向けの放射線検出器を開発・製造しているメーカーで、シリコンドリフト検出器(SDD)と電荷結合素子(pnCDD)に重点を置いています。PNDetectorのSDDは、優れたエネルギー分解能と処理時間の短さなど、最先端の技術を有しており、走査電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、蛍光X線装置(XRFおよびTXRF)など、さまざまな機器で使用されています。

SDDおよびBSD製品には、シリコン検出器各種とBSE(後方散乱電子検出器)、そして pnCCD製品には、高解像度X線イメージング分光法(カラーX線カメラ)、高速直接電子イメージング(pnCCD(S)TEM) カメラがあります。

SDD and BSD 製品
・クラシックシリコンドリフト検出器
・高解像度シリコンドリフト検出器
・多元素シリコン検出器
・超大型検出器シリーズ
・BSE(後方散乱電子検出器) 等

pnCDD 製品(イメージセンサー)
・カラーX線カメラ
・pnCCD(S)TEM ((Scanning)Transmission Electron Microscopy) カメラ

【お取り扱い実績の一例】

Annular Backscattered Electron Detector Preamplifier Module
Type:AMP-BSD-40-4-1-10-OPW (BSD, 後方散乱電子検出器)

主な特徴:
– 信号強度の向上
– テレビ回線の速度よりも速い超高速イメージングが可能(最大100 MHz)
– 低ノイズイメージングの提供
– 作動距離が短い(短い距離でのイメージングが可能)
– さまざまなタイプのダイオードを利用可
– 信号立ち上がり時間 10nsec、パルス立ち上げ時間 5nsec の高速LED信号

仕様:
Total active area: 40mm2
Number of segments / rings: 4 / 1
Central hole diameter: 1.0 mm
Outer diamater: 9mm
Energy threshold (50% efficiency): 2 keV

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PNDetector 社製品 / シリコンドリフト検出器(SDD)や電荷結合素子(pnCDD)等
メーカー (PNDetector GmbH) WEBサイト